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INV120EQ035A是英諾賽科推出的一款120V增強型雙向導通氮化鎵（GaN）功率晶體管。 該產品采用了先進的VGaN技術和硅基氮化鎵E型HEMT技術制造，封裝形式為緊湊的4mm x 6mm En-FCQFN。 INV120EQ035A的主要特點包括雙向阻斷能力和超低的導通電阻，這使其在需要高效能和靈活開關的應用中表現出色。

這款晶體管適用于多種應用場景，例如在電池管理系統（BMS）中用于電池保護，在雙向轉換器中作為高壓側負載開關，以及在多電源系統中實現開關電路功能。 其雙向導通特性使得在一個元件中即可實現傳統方案中需要兩顆背靠背連接的硅MOSFET才能實現的功能，從而有效減小方案尺寸并降低成本。 英諾賽科提供該產品的可靠性測試報告，并具備完善的質量體系和故障分析能力，確保產品的高可靠性和穩定性。 其120V的最大漏源電壓和低至3.5mΩ的導通電阻，使其成為高效率電源應用的理想選擇。