熱點資訊
聯系方式
- 手機:181-4585-5552
- 電話:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 郵箱:alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址:深圳市龍華區民治街道民治社區金華大廈1504
臺積電創始人表示,與三星合作是不可行的
作者:admin 發布時間:2025-02-20 13:17:25 點擊量:
臺積電創始人張健榮在其自傳發布會上,深入回顧了與三星電子之間的互動,明確表示與三星的合作是不可行的。他指出,三星所面臨的并非戰略層面的挑戰,而是技術上的困難,這使得雙方在合作上難以達成共識。
張健榮回憶起1989年,時任新加坡總理的李光耀對臺積電的投資,以及當時對人才的擔憂。他提到,盡管李健熙曾提出與臺積電合作的建議,但由于對市場的不同看法和技術能力的差異,臺積電最終選擇了獨立發展,而未能與三星聯手。
在談到臺積電的歷史時,張健榮還提到了公司在內存市場的失敗嘗試,這段經歷讓他更加堅定了臺積電專注于先進制程的決心。此外,他還分享了與高通在28nm工藝節點上的合作經歷。盡管高通在尋求其他供應商的過程中曾對臺積電的能力產生疑慮,但最終臺積電的預測得以驗證,28nm的產能出現了過剩,這一結果也反映了市場需求的變化。
張健榮引用莎士比亞的話,強調28nm技術的成功不僅是臺積電在技術上的一次突破,更是其在智能手機領域崛起的重要標志。這一成就不僅鞏固了臺積電在全球半導體行業的領導地位,也為后續的發展奠定了堅實的基礎。通過這些回顧,張健榮展現了臺積電在面對挑戰時的堅持與智慧,以及在競爭激烈的市場中不斷追求創新的決心。
推薦產品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 集澈代理如何借力國產芯片政策東風?2025-06-23
- 激光雷達電源模塊INN100W135A-Q驅動電路布局要點2025-06-20
- 基于英諾賽科GaN的240W PD3.1快充參考設計2025-06-17
- 英特爾代工業務巨虧 股東起訴詐欺被法院駁回2025-06-11
- 英諾賽科氮化鎵引擎 驅動半導體升級2025-06-10
- 雙向氮化鎵 (GaN) 單芯片方案革新電源管理 2025-06-04